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RJK0655DPB-00#J5 |
SC-100,SOT-669 | Renesas Electronics America | 10168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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RJK0655DPB-00#J5参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK 包装数量:2500 包装形式:带卷 (TR) FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):60V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):35A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 17.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2550pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 矩形- 接头,公引P50E-026P1-S1-TG 可变电容二极管(可ZMV829ATC 功率,高于 2 安G6BU-1114P-US-DC24 DC DC ConDDO3D1212A 圆形EDN.2M.310.XLM Card EdgeRSA30DTMZ-S273 DC DC ConVE-B5D-CW-B1 单二极管/整流器STPS140U 圆形 - 外壳MS3471L20-39S-LC 芯片电阻 - 表面RG2012N-2870-B-T1 |